ddr4和ddr3的区别

一、工作电压不同

1、ddr4：标准工作电压为1.2V，最低可降至1.1V—1.05V，相比于ddr3更节能。

2、ddr3：标准工作电压为1.5V，节能版为1.35V。

二、工作频率不同

1、ddr4：标准工作频率为2133MHz，最高可以达到3200MHz。

2、ddr3：标准工作频率最高为1600MHz。

三、预取机制不同

1、ddr4：采用16bit预取机制，同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍，更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升。

2、ddr3：采用8bit预取设计，DDR3显存规格为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。

参考资料来源：百度百科-DDR4内存

参考资料来源：百度百科-DDR3 SDRAM

内存得速度上除了工作频率外，还有内存的各种延迟，一般来说，延迟越小内存性能越好。对内存影响较大得延迟有Command Rate，CAS,TRCD,TRP,TRAS。在同样都是2200MHz的工作频率下，DDR4代的各项延迟能被设置的更小，性能当然也比DDR3高。另外，DDR4代内存的制成要比DDR3代进步，发热也比DDR3代的低。值得说得是，在整机中并不是内存的性能越好越好。因为在整机中还存在各个配件的数据交换带宽，比如说前端总线等。若前端总线为1800MHz那么只要800MHz的双通道内存或1600MHz的单通道内存就够了，比这还高的内存不能完全发挥他的性能。这也是Inter在新的Nehalem构架中抛弃FSB总线而采用更高速的QPI总线的原因。