高通骁龙835处理器怎么样

1、骁龙835（SoC部分）采用三星10nm FinFET制程工艺打造，与上一代14nm FinFET相比，新工艺能在减少30%芯片面积的基础上，同时实现27%的性能提升或40%的功耗降低。而这对于骁龙835来说，就是SoC部分的芯片尺寸更加小，为主板/机身内部腾出更多空间，让OEM厂商能放更多模块或者加大电池。
2、10nm FinFET制程工艺下也会带来续航性能上的提升、发热的降低，相信搭载骁龙835的移动终端将会有更优秀的续航性能和发热表现。

高通骁龙835代表差迄今为止安卓处理器顶峰，也就苹果最新一代的处理器可与之媲美。

　目前GFXBench数据库中已经出现了骁龙835开发机的跑分成绩，虽然不代表最终的成绩，但已经颇具参考价值了。

　　从数据来看，该机采用了5.9英寸2K屏，搭载骁龙835处理器，GPU型号为Adreno 540，内置4GB内存和64GB机身存储空间，提供后置2000万像素摄像头和前置1200万像素摄像头。
　　另外，从数据中已经可以确认，骁龙835为八核心设计，小核心的频率应该是2.2GHz，但GPU频率不详。
　　成绩方面，Manhattan 3.1成绩为2571 frames(45.1 FPS)，Manhattan成绩为3839 frames(61.9 FPS)， T-Rex成绩为6453 frames(115.2 FPS)。
　　作为对比，麒麟960 Manhattan 3.1成绩为1528 frames(24.6 FPS)，Manhattan成绩为2090 frames(33.7 FPS)， T-Rex成绩为4059 frames(72.5 FPS)。
　　可以看到，骁龙835的GPU性能领先幅度非常大，这还是工程机状态，今后经过优化，性能有望进一步提升。