1.LN离内部的器件和走线（包裹内部GND）的距离至少要2.5MM,L,N之间距离至少2.5MM2.高压滤波电容主要由输入最低电压和输出功率决定，低电压取值要2倍到2.5倍的功率，即1W输出需要1.5UF,高电压经验取值1倍到1.5倍。3.15W的电源选用2A600V的MOSFET即可。
