你题目中提到的这个条件是对的，
饱和状态（可变电阻区）：Uds
中间的Uds=Ugs-Ugs(th)，就是那根预夹断线（如果画在图上就是一根曲线），对于增强型N_MOSFET而言，线的左边就是可变电阻区，右边是恒流区，最底下一片是夹断区。
比如说，Ugs=10V，Uds=1V，肯定是在可变电阻区了，也就是饱和状态。
你的这个图里，Ugs(th)没有说明，这个数据一般要在MOS管前面的数据列表中找。
你说的 条件刚好是反了。你没有好好理解那个公式的含义。
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