MOSFET可以分成增强型和耗尽型,每一种又可以分成N沟道和P沟道。
不过现实中,耗尽型的类型很少,而P沟道也比较少,最多的就是N沟道增强型MOSFET,也就是增强型N-MOSFET。
大部分MOS管的外观极其类似,常见的封装种类有TO252,TO220,TO92,TO3,TO247等等,但具体的型号有成千上万种,因此光从外观是无法区分的。对于不熟悉型号,经验又比较少的人来说,比较好的方法就是查器件的datasheet(pdf格式,一般是英文),里面会详细告诉你,它的类型和具体参数,这些参数对于你设计电路极有用。
我们区分类型,一般就是看型号,比如IRF530,IRF540,IRF3205,IRPF250等这些都是很常见的增强型N-MOSFET,而对应的IRF9530,IRF9540就是增强型P-MOSFET,耗尽型的两种,我至今还没在实际电路中看到过具体的器件。
前面一个朋友的说法有一些欠妥,比如结型管(J-FET)与MOSFET并不互相包含,反而是并列关系,这两种是场效应管的两种类型,而JFET也可以分成N-JFET和P-JFET两种,像2SK117,2SK596都是常见的N-JFET型号,不过P-JFET的具体型号我还没见过,一般都融入了集成电路设计(IC设计)中。
MOS场效应管分J型,增强型,耗尽型。
一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体,P沟道是P型半导体,然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。
mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有极高的输入电阻。
结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。
MOS场效应管分J型,增强型,耗尽型
你问哪一种?
这几种的特点都不一样!
一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体,P沟道是P型半导体,然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启
你找一本绿皮的电子线路基础,里面很清晰,曲线图有,沟道怎么形成也有。
或者你买一本蓝皮的CMOS集成电路设计,第二章也讲得非常清晰。
如果你还是不懂,你最好先学习一下”半导体原理“和”半导体器件物理“这两本书。这对于沟道如何形成的理解有很大帮助。或者再往前推,你可以先看一下”固体物理“这本书。