晶体三极管工作在放大区的条件？

晶体三极管工作在放大区内的条件是：发射结正偏，集电结反偏。

三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，IB控制IC，IC与IB近似于线性关系。

三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。

截止区，即三极管工作在截止状态，IB=0，IC几乎等于0，仅有极微小的反向穿透电流Iceo流过。

饱和区，即发射结正偏，集电结也正偏，集电极电流不受基极电流控制。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压。

扩展资料

放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子（自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

参考资料来源：百度百科--晶体管放大区

参考资料来源：百度百科--晶体管截止区

参考资料来源：百度百科--晶体管饱和区

晶体三极管在放大区工作的条件是基极电流大于零，发射极电流大于零，且集电极电流大于零。
具体来说，以下是晶体三极管工作在放大区的条件：
基极电流大于零：在放大区，基极电流需要大于零，这样才能使晶体三极管处于正常工作状态。一般来说，基极电流的大小会决定晶体三极管的放大倍数。
发射极电流大于零：发射极电流需要大于零，这样才能保证PN结正向偏置，使晶体三极管能够正常工作。
集电极电流大于零：在放大区，集电极电流需要大于零，这样才能实现信号的放大功能。集电极电流的大小与基极电流和发射极电流有关。
总之，晶体三极管在放大区工作的条件是基极电流大于零，发射极电流大于零，且集电极电流大于零。这些条件的满足可以使晶体三极管能够正常放大输入信号，并输出放大后的信号。

放大区：发射结正偏，集电结反偏。Uc>Ub>Ue（NPN）。
截止区：发射结反偏，集电结反偏。Uc>Ue>Ub（NPN）。
饱和区：发射结正偏，集电结正偏。Ube>Uce（NPN）。

三极管在正常放大时，npn三极管Vc>Vb>Ve PNP三极管Vc