请问IGBT的di⼀dt。dv⼀dt具体指的是什么呢？为何会有这2个参数？对IGBT有何影响？

di/dt电流上升(速)率，dv/dt电压上升(速)率，
IGBT从阻断到导通总得有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少安培，
写成di/dt就是电流的增量与所用时间之比。
IGBT从导通到阻断也得有一个过程，在这个过程中，IGBT承受的电压有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少伏，
写成dv/dt就是电压的增量与所用时间之比。
这2个参数都是越大越好，越大损耗越小，越大可用的工作频率越高。

具体如下：

1. di/dt电流上升(速)率，dv/dt电压上升(速)率。

2. IGBT从阻断到导通总得有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少安培。

3. 写成di/dt就是电流的增量与所用时间之比。

4. IGBT从导通到阻断也得有一个过程，在这个过程中，IGBT承受的电压有一个从小到大的过程，这个过程越快越好，比如说每微秒增加多少伏，写成dv/dt就是电压的增量与所用时间之比。

5. 这2个参数都是越大越好，越大损耗越小，越大可用的工作频率越高。

知识拓展：

dv/dt滤波器的性能说明：

1.dv/dt滤波器在远离电机300m处仍然能保证满足电机的最大峰值电压规格(母线电压的150%)。

2.dv/dt滤波器额定值为变比在<200V/μS<的dv/dt值。

3.dv/dt滤波器在一些特殊的应用中，电缆长度达到500米时仍能提供卓越性能。

di/dt电流变化率。dv/dt 电压变化率，电压或电流和电压在一定时间内变化过大会使igbt 烧坏，参数表上有