三极管放大的内部条件和外部条件是什么？求精确答案，详解？？？

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

内部条件：发射区掺杂浓度较高，基区很薄，集电区面积较大。

集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。放大状态下集电极电流Ic，Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。

虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。饱和状态下，Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic的产生。

扩展资料

工作原理如下：

1、基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，

因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。

2、基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因而就没有集电极电流产生。

综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。

参考资料来源：百度百科-三极管

内部条件：晶体管的物理结构，发射区掺杂浓度最高（增大发射载流子的量）
，基区最薄（减少体电阻，便于集电极吸收载流子），集电极面积最大（便于吸收载流子）
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。