智能功率模块是一种先进的功率开关器件,具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠,缩短了系统开发时间,也提高了故障下的自保护能力。
IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。
扩展资料
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成。其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。
IPM使用单一的+15V供电,若供电电压低于12.5V,且时间超过toff=10ms,发生欠压保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。
在靠近IGBT芯片的绝缘基板上安装了一个温度传感器,当IPM温度传感器测出其基板的温度超过温度值时,发生过温保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。
参考资料来源:百度百科-IPM
IPM是:Intelligent Power Module的缩写,中文叫智能功率模块
它将IGBT,驱动以及一些保护功能集合到了一起
IMP模块具有过流保护,短路,过热保护的功能;使电路工作的更加可靠
这方面的详细知识网上很多,建议你直接上网搜索
目前IPM比较好的品牌有:三菱,富士,东芝,仙童等
你可以找找他们的应用材料看看
IPM(Intelligent Power Module)是智能功率模块的简称。它是一种包含了功能丰富的功率电子设备,其主要由两部分构成:
功率开关元件:通常为IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)或 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效应晶体管)等。
集成电路:包含了具有驱动电路、保护电路的硅基微控制器(MCU),用于提供智能化的控制。
IPM模块通过内部的控制和保护电路,可以实现对功率元件的精确控制,并提供如过热、过载、短路等保护功能。这种设计极大地简化了电源设计、电机控制和各种逆变电源等领域的系统设计难度。
IPM是:Intelligent Power Module的缩写,中文叫智能功率模块。
IPM是一种先进的功率开关器件,兼有GTR(大功率晶体管)高电流、低饱和电压和高耐压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减少了系统的体积,缩短了开发时间,也增强了系统的可靠性,适应了当今功率器件的发展方向。
IPM的保护功能
保护电路可以实现控制电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保护。如果IPM模块中有一种保护电路动作,IGBT栅极驱动单元就会关断门极电流并输出一个故障信号(FO)。各种保护功能具体如下:
(1)控制电压欠压保护(UV):IPM使用单一的+15V供电,若供电电压低于12.5V,且时间超过toff=10ms,发生欠压保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。
(2)过温保护(OT):在靠近IGBT芯片的绝缘基板上安装了一个温度传感器,当IPM温度传感器测出其基板的温度超过温度值时,发生过温保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。
(3)过流保护(OC):若流过IGBT的电流值超过过流动作电流,且时间超过toff,则发生过流保护,封锁门极驱动电路,输出故障信号。为避免发生过大的di/dt,大多数IPM采用两级关断模式,过流保护和短路保护操。其中,VG为内部门极驱动电压,ISC为短路电流值,IOC为过流电流值,IC为集电极电流,IFO为故障输出电流。