晶闸管的结构？

晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流管（SCR），以前被简称为可控硅。晶闸管能够通过信号控制其导通，但不能控制其关断，所以称为半控型器件。晶闸管这个名称往往专指晶闸管的一种基本类型一普通晶闸管。但从广义上讲，晶闸管还包括许多派生器件，如双向晶闸管（TRIAC）、快速晶闸管（FST）、逆导型晶闸管（RCT）和光控晶闸管（LTT）等。

　　一、晶闸管的结构

　　目前大功率晶闸管常用的外形结构有螺栓式和平板式，它具有三个PN结的四层结构，其外形、结构和图形符号如图所示。

晶闸管是一种4层功率半导体器件，具有3个PN结，最外层的P区和N区分别引出两个电极，称为阳极A和阴极K，中间的P区引出控制极。

以下是晶闸管的主要结构：
N型底座：晶闸管的底部为N型半导体材料，通常为硅材料。
P型阳极：在N型底座上形成一个外接阳极（P型半导体），通常采用掺杂较多的P型硅材料。
N型触发极：在P型阳极上方形成一个N型区域，该区域通常称为触发极或门极，用于控制晶闸管的导通。
P型门极：在N型触发极上方形成一个P型区域，通常用于增强晶闸管的触发性能。
控制极：晶闸管通常还包括一个控制极，用于控制晶闸管的导通和关断。