IRF1010是场效应管吗

IRF1010是场效应管。

IR的HEXFET功率场效应管IRF1010采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF1010这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF1010成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。

IRF1010 特性

1.先进的工艺技术。

2.贴片安装（IRF1010ES、IRF1010NS）。

3.低端通孔安装（IRF1010EL）。

4.超低导通阻抗。

5.动态dv/dt率。

6.175℃工作温度。

7.快速转换速率。

8.无铅环保。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

是场效应管，可以用IRF3205代替。