CHMOS和HMOS的区别

1、性质不同：互补金属氧化物就是互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。HMOS描述了集成电路中MOS管的结构，即在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。

2、用途不同：CMOS感光器件主要应用于少数名片扫描仪和文件扫描仪。在MOS三明治结构上，金属电极相对于P型半导体的情况下，外加正电压，对N型半导体外加负电压，就会形成与PN结合面相同的现象，也就是最初在氧化膜下会产生耗尽层。

3、特点不同：互补金属氧化物主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带–电） 和 P（带+电）级的半导。HMOS在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。

扩展资料：

注意事项：

1、用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的ROM芯片。

2、在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是 主板上的一块可读写的RAM芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。

3、CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。 CMOSRAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能。

4、对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开 机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。

参考资料来源：百度百科-HMOS

参考资料来源：百度百科-互补金属氧化物

CHMOS(互补金属氧化物HMOS)是CMOS和HMOS(高密度沟道MOS工艺)的结合,除了保持HMOS高速度和高密度之外,还有CMOS低功耗的特点.两类器件的功能是完全兼容的,区别在CHMOS器件具有低功耗的特点.它所消耗的电流比HMOS器件少很多,主要在于其采用了两种降低功耗的方式:空闲方式和掉电方式.CHMOS器件在掉电方式(CPU停止工作,片内RAM的数据继续保持)下时,消耗的电流可低于10μA.采用CHMOS的器件在编号中用一个C来加以区别:如80C51,80C31等.