首先,这图是猜的,因为你没图。
其次,你说的问题1所谓的26,我觉得是0.6V
然后,你再去看看你的问题2对不对吧。
最后,不得不说,没图你问个JB。
严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)×VT/Ie。
1、VT=kt/q。即波尔兹曼常数除以库仑电荷常量,这是半导体材料理论上的事。在室温(300K)时,VT的值大约是26mV。
2、rbb'是基区电阻,过去由于工艺问题,生产过很多锗低频管,这种管子的rbb'=300Ω。而现在的硅管的rbb'一般只有几十欧姆,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω,50Ω,30Ω的都有。随着工艺水平的提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计。另外,以上公式仅适用于Ie小于5mA的情况。