IGBT不是mosfet管,没有N沟道和P沟道之分,IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称,既有MOSFET管的电压控制开关、开关速度快的特点,又有功率晶体管的可导通电流大,导通压降小的特点,集合了这MOSFET管和BJT管的优点。
IGBT是三端电力电子器件,具有栅极G、集电极C、发射极E,它比MOSFET多一层𝑃+注入区,因而形成一个面积较大的𝑃+N结𝐽1,这样使得IGBT导通时由𝑃+注入区向𝑁−漂移区发射少子,从而实现对漂移区电导率进行调制,使得IGBT具有很强的通流能力。