NPN MOS管工作原理图

　MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

MOS管一般说P沟道或者N沟道

简单的说下导通条件：
P沟道：源极电压高于门极电压一定值，如10V；
N沟道：门极电压高于源极电压一定值，如10V

N 沟道MOS管一般还可以分是增强型的还是耗散型的，一般常用是增强型的。现在一般用做开关的比较多，也就是当G极电压大于产品的VTH值时，GS直接导通，导通的电阻很小，而不需要导通时只要G极不加电压或者电压小于VTH就可以了。

MOS管一般说P沟道或者N沟道

简单的说下导通条件：
P沟道：源极电压高于门极电压一定值，如10V；
N沟道：门极电压高于源极电压一定值，如10V