场效应管 尖峰吸收回路设计问题

1. 功率是 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) *F（Hz）。
2. 钳位电压一般选择为反射电压的1.4倍左右

选取电阻和电容时，应先估算几个参量，匝比，初级峰值电流，钳位电压，另外有些参数不可忽略如次级整流管压降，变压器二次侧漏感（尤其匝比比较大的时候）。有了这些参数之后，基本可以计算电阻了，P=V^2/R即可，选择一个纹波电压值Vr，如选为钳位电压的10%，C=I*T/Vr即可。
初步选定后，整机再做调整，即可得到合适的参数。离线式的反激电源，100K左右的频率，最终的参数一般电阻为几十千欧，电容为几纳法，否则计算的一定不合理或设计的不合理。

这个压敏电阻,你不要理解成串联在电路上的,不错,你说对了一样,这个压敏电阻相对负载来说, 是串联的.但对于继电器来说,它是和继电器输出端并联在一起的,因为固态继电器是非接触触点式的,也就是说它的输出端是可控硅或三极管或场效应管等这些电子器件组成的,所以它的输出端两端就存在一个能承受最高电压的问题,如果输出端电压超过内总电路的最高耐压,就会使输出端击穿短路,
你这个电路中,当这个开关关闭时,在固态继电器输出端两端不导通,所以它两端的电压是这个电路中的电源电压,如果这个电源波动大,当电源电压瞬间波动大于继电器最高承受电压,会使继电器输出端击穿,所以才在输出端并接压敏电阻,来吸收浪涌电压,起到保护继电器的作用
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　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
　　FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
　　功率是 1/2(Lleak*Ipeak^2*(Vsnub/(Vsnub-N*Vout))) *F（Hz）。
　　钳位电压一般选择为反射电压的1.4倍左右。
　　选取电阻和电容时，应先估算几个参量，匝比，初级峰值电流，钳位电压，另外有些参数不可忽略如次级整流管压降，变压器二次侧漏感（尤其匝比比较大的时候）。有了这些参数之后，基本可以计算电阻了，P=V^2/R即可，选择一个纹波电压值Vr，如选为钳位电压的10%，C=I*T/Vr即可。
初步选定后，整机再做调整，即可得到合适的参数。离线式的反激电源，100K左右的频率，最终的参数一般电阻为几十千欧，电容为几纳法，否则计算的一定不合理或设计的不合理。