二氧化硅在集成电路制作过程中，可以阻止杂质扩散，这就提供了选择扩散的可能，例如在硅片上生成一层完整的二氧化硅后，再利用光刻的办法，有选择地刻蚀掉某些部分的二氧化硅，然后的高温下掺杂（例如掺硼）就使这没有二氧化硅保护的区域有硼扩散进去了，这里因此变成了P型区（通常是基区）。另外二氧化硅是良好的绝缘体，在集成电路制作过程最后要将分散的二极管，三极管，电阻等元件用铝条连接起来，有些地方需要连，也有些地方不要连，不要连的地方，用二氧化硅盖起来就行了，而需要连的地方，也用光刻的办法，有选择地刻蚀掉，就可以由经过的铝条，连起来了。
二氧化硅属于光纤的主要制作材料，属于光波导，不属于半导体也不属于导体（通常所说的电导体）。在晶体管和集成电路中作杂质扩散的掩蔽膜和保护层,制成二氧化硅膜作集成电路器件。
主要是隔离( isolation),例如mos和mos间，metal和metal间的隔离；
另外就是IC生产过程中的imp blocking.
内容全部来源于网络收集，如有侵权，请联系网站删除：QQ号：24596024