pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧，n是电子多的吧，（这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理）

1 空穴是一种等效粒子，如果价带的大量电子中有1个电子被激发到导带成为自由电子，则等效于价带中含有一个空穴，由于导带的自由电子可以导电，因此空穴在价带相应具有这一行为。价带中空穴的移动实际上是价带中大量电子移动的等效结果。

2 p型半导体并非含空穴多，而是价带中可导电的空穴比本征半导体的价带多，但这只是导电潜力，电子数和空穴数仍然完全相等，以保持电中性。n型半导体也非电子多，而是导带中的自由电子比本征半导体的导带多，电子数和空穴数也完全相等，并呈现电中性。这与电子在原子周围的分布没有任何冲突。

3 形成PN结后不存在P结或N结，只存在P型区、N型区和空间电荷区（PN结区）。电子和空穴的分别由N型区和P型区向另一侧扩散，形成空间电荷区，由于电荷数不平衡，空间电荷区产生反向电场阻止扩散运动并产生漂移，扩散与漂移完全抵消，即进入动态平衡。因此在PN结宏观上仍然都是电中性，在PN结空间电荷区P型侧电子多，N型侧空穴多，但并不产生电流，这是扩散与漂移抵消的结果。

4 正偏PN结导通后，由于正偏抵消空间电荷区电场，漂移作用大于扩散作用产生漂移电流，但不只限于电子漂移，空穴也同时漂移。电源负极向N型区连续提供电子，电子不断由N型区穿过空间电荷区进入P型区，一部分与P型区空穴复合，一部分漂移流入电源正极，同时电源正极向P型区提供空穴（实际为吸收P型区导带上可怜的几个自由电子），P型区空穴穿越空间电荷区进入N型区，一部分与N型区电子复合，一部分漂移流入电源负极（实际为电源负极补充被复合的电子）。空穴流和电子流虽然方向相反，但电荷也相反，因此共同构成PN结电流，只是不同正偏电压下，复合和漂移的程度不同，因此宏观电流也不同，正偏电压越高，漂移在电流中比例越大，宏观电流越大。

5 你恰恰忽略了正偏时居于主要地位的漂移电流，而所谓填满空穴只是复合电流。

P_POSITIVE （正)
N_NEGATIVE(负)
P端正 空穴就会去N端 电子去P端 然后再PN节交接面形成内置场强。只要外加电压不够大 这个内部场强就会抵消外部电压，所以不会有电流流动
这个原理可以用来做稳压管
但是外部电压过大 就可能会烧坏PN节 形成雪崩效应。这样您讲的持续电流就有可能实现。
比较菜的见解 仅作参考
我的答案太肤浅 楼上正解

与外部电源一起形成一个完整的电流通路才有源源不断的电子流，不只是依靠半导体中的电子空穴对，受到外部电场的作用，空穴不会被填满，电子会继续移动到电源正极