MOS衬底与栅极间存在一层很薄的二氧化硅绝缘膜,而两个扩展区(即漏极和源极)是分开的,与衬底形成两个背向的PN结,如果在栅极和衬底之间加合适电压,可以使衬底靠近栅极的部分出现反型层(即与漏极源极同型),这时出现导电沟道,在漏极和源极之间加电压就可以产生电流了. 由于没有图,很难说得清楚的.你可以去找一本模拟电子技术的书看啊
