掺入杂质和提高温度都能使半导体的电阻减小，这两种减小半导体的方法本质上有什么区别？

这两种减小半导体电阻的方法没有本质上的区别，都是增加载流子的数量，但
1.掺入杂质如果是三价的元素，则是形成P型半导体，只增加空穴载流子的数量；如果是五价的元素，则是形成N型半导体，只增加电子载流子的数量。
2.提高温度同时增加电子载流子的数量和空穴载流子的数量，电子和空穴是成对出现的。

简单点说吧，参入杂质就是通过杂质放出或吸收电子来增加了电子或者是空穴的个数，这样“自由电子”就多了，电阻就变小了；而提高温度是使运动加快，并能释放出更多的电子，形成更多的电子和空穴对，这样也能减小电阻……

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备杂质半导体时一般按百万分之一数量级的比例在本征半导体中掺杂。本征半导体的导电能力很弱，热稳定性也很差，因此，不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。
半导体 的电阻是随温度上升而下降最后在一个值稳定下来之后再上升
超导体在临界温度一下都是为0，超过临界温度电阻随温度上升

掺入杂质相当于改设电阻的材料，进而改变分子结构，提高温度加快了分子运动，电子更活跃

首先说一下半导体的性质：4个电子4个空穴，属于基本稳定，所以导电能力不强。
参入杂质的目的是增加半导体中的电子（金属）或增加空穴（非金属）。
提高温度是使半导体中的电子活性增加，这个与其它物体一样。