MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。
MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。
MOS管和三极管截止区：
NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通。
MOS管饱和区的介绍：
NMOS在漏极电压比较高时，会使沟道夹断，之后即使电压升高，电流不会再升高，因此叫做饱和区。
NPN三极管在集电极电压比较高时，也会几乎全部收集到从发射极过来的电子，电压再升高也没有办法收集到更多，也是它的饱和区。
内容全部来源于网络收集，如有侵权，请联系网站删除：QQ：24596024