一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。
导带的最高处和价带的最低处在相同k值的叫“直接带隙材料”，例如GaAs等不在一处的就是“间接带隙材料”例如Si
