为什么硅片在正反向电压下测得的电阻率相差较大

2025-03-12 08:42:32

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回答1：

不知道你是如何测‘硅片’的电阻的？很可能是测‘硅片’上某个外接电极之间的电阻（率）吧？
如果这个推测成立的的话，只能推断你测的两个电极正好是硅片上的一个PN结，即在同一个硅（片）基的两边注入（掺杂）不同（价电子）的杂质元素，例如一端掺入3价的硼元素（P型掺杂），而在另一端掺入5价的磷元素（N型)。这两种杂质的掺杂会向外扩散，当两个扩散区域相交就会在交界处生成PN结。PN结具有对外加电压的方向有不同的电通特性，即在正向电压（P端正极，N端负极）时电阻很小（导通状），而在方向电压时电阻很大（阻断状）。
PN结的导电特性是一切半导体特性应用的基础。

回答2：

这是有PN结才会如此。