三极管问题

1、你提出的“E极的掺杂浓度高，BE间的电阻就小”。其理解错误在：掺杂浓度高----对应电阻小？
正确理解应当是：掺杂后，空穴（或自由电子）浓度增大，它们在同样外电场的作用下产生更大的电流，也就是说，显示为更小的电阻。但是，要注意，这是在反向电压下产生的漂移电流。也就是说：掺杂浓度越高，反向漏电阻越小。
但是在这里，你测的是PN结的正向电压，影响此电压的是PN结的正向电阻，你用反向电阻的大小来代替这里的正向电阻显然是不对的。
正向电阻的大小受什么影响呢？受杂质浓度大小影响：因为正向电流是扩散电流，扩散时的阻力就来自扩散时的杂质粒子的碰撞，它与杂质粒子的浓度成正比，（这一规律是任何扩散都遵守的）。所以，杂质浓度大，正向扩散电阻大，正向电压大。

2、掺杂浓度大，要阻止多子运动的耗尽层的电场强度大。（而不是电压大！）
而电场强度等于电压除以电场宽度，（公式：E=U/d）。在这里的电场宽度就是PN结的厚度，在扩散过程中产生很大的电压是不可能的，只要厚度小了，电场强度就能达到了。

3、在本征半导体中，空穴与自由电子是等量的。若是加入三价杂质，则会产生多量的空穴，但是这些空穴遇到自由电子就会“复合”，空穴越多，与自由电子“复合”的机会就越多，也就是说，多子浓度越高，少子浓度就会越低。

补充：二极管的PN结是对称PN结，这是与三极管的PN结的不同的地方。
二极管对于不同的用途，掺杂浓度是不同的：
1、整流用二极管，要求能承受的反向电压 足够大，掺杂浓度要小，这样产生的内电场小，耗尽层宽，当在上面加上一个反向电压时，此反向电压产生的电场强度就小，于是反向击穿电压大；
2、稳压二极管，要求的反向击穿电压由几伏到几十伏不等，反向击穿电压在6V及以下的，掺杂浓度要求较大，这时耗尽层很窄，反向加一个很小的电压就能产生较大的电场强度，因此产生齐纳击穿（击穿特性陡且击穿电压低）；
当掺杂浓度减小，反向击穿电压就会增大（产生雪崩击穿）。只要控制掺杂浓度，就能控制反向击穿电压的大小。

第一个问题：这里不用电阻来理解，我个人认为不好计算，你不能只考虑体电阻，你红接B，黑接E，C那么结果是发射结和集电结的导通压降，这样就需要考虑结电阻的问题，如测试b和e吧，你要考虑基区电阻，发射区电阻，发射结电阻，同样在测试B，C的时候一样，所以不好用电阻来进行理解。用内场强度理解，就是势垒电压，E区浓度高，体积小，C区浓度低，面积大，这就很好理解了啊，发射结的话内场自然就比集电结大，所以导通时发射结电压就就要比集电结的大。
第二个问题：PN的厚度问题，你要明白PN是内场，它是什么形成的呢，无外场时，载流子是扩散，P区空穴往N扩，空穴走了就留下了负离子吧，N一样电子走了，留下正离子，这些+，-离子就形成了内场，就是PN结，有外场用同样的方法理解。所以内场是+-离子形成的，浓度高的话，单位面积离子多，要是形成大小一样的场，自然是浓度高的厚度小了啊。
第三个问题：这个问题你要是数学想推的话，麻烦了，我也没推过，我就记住了多子浓度和少子浓度的乘积是个常数