看你是用来控制什么的......
nmos管是栅极高电平通,低电平断,可以用来控制地的通断
pmos管是栅极低电平通,高电平断,可以用来控制电的通断
下图是控制mos管通断的一个例子:
单片机引脚给出高电平时,mos管导通,mos管的2脚有电压输出
当给出低电平时,mos管断开,无电压输出。
用单片机去控制,想怎样就怎样?很方便。关键要会单片机,会电子入门技术,才是关键。不然都是空谈,没用的。场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。
举个例子:
做一个场效应管的的开关电路,控制25w 24v的电磁铁 ,电源 直流24v ,信号电压 8v,最低1.7v ,信号和输出都是两个 ,一个离合, 一个刹车 ,交替运行 每秒大约5次。
方法:1.7至8V的信号电压通过限流电阻接至三极管基极,三极管集电极触发由CD4013数字集成电路电路组成的单稳态电路,数字电路4013的输出端Q和Q非分别驱动2个场效应管,二个效应管均可驱动电磁铁线圈,使离合、刹车交替进行,选取合适的单稳态电阻和电容元件可以使离合 、刹车每秒1次以上。
你把他当三极管来用是一个样的,N性CMOS对应NPN三极管。P性CMOS对应PNP三极管。源极----发射极;漏极----集电极;栅极----基极。
场效应管和三极管的区别是一个是电压控制的,一个是电流控制的。前者输入电阻高,后者输入电阻低。前者绝缘性能更好,后者作为截止的时候漏电流稍微大一点点。前者门开关的速度更快,后者速度稍微慢点,因为是电流型的嘛。
型号嘛,手册上多的是,要什么有什么,作为设计者应该学会查手册。
单片机IO口的输出直接驱动MOSFET就可以,或者说在中间串联一个小的电阻。
至于用什么场效应管,就要看通过场效应管的电流和电压啦,一般场效应管的反压是电压的1.5-2倍,场效应管的额定电流是通过它电流的3-5倍就可以啦。如果发热比较严重还要在管子上加散热片。
和三极管开关状态一样,也就是说通过脉冲信号控制场效应管的导通和截止,场效应管的开关特性(也就是说从导通到截止所需时间远远小于三极管,且漏源极电压可以做的更高)。