霍尔传感器是利用霍尔效应实现磁电转换的一种传感器。
霍尔效应:长宽厚分别为L,b,d的半导体薄皮,当被置于磁感应强度为B的磁场时,如果在其相对的两边通以控制电流I,且磁场方向与电流方向正交,则在半导体的另外两边将产生一个大小与控制电流I和磁感应强度B乘积成正比的电势Uh,这种现象称为霍尔效应。
工作原理:当N型半导体霍尔元件通以电流I时,其中的自由电荷即载流子受到洛伦兹力作用,,使电子向垂直于B和自由电子运动方向偏转,方向符合右手螺旋定则,即在不同表面出现电荷的积聚。由于电荷积聚产生静电场,即为霍尔电场,该电场对电子的作用力与洛伦兹力方向相反,阻止电子继续偏转,两者逐渐达到动态平衡。产生稳定的霍尔电势输出。