场效应管怎样做开关管

方案1要用P沟道场管，IRF640N是N沟道的，不能用，还要求PLC的OC端能承受24V电压，这点可能不行。

方案2用N沟道场管，IRF640N可行。

两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。

场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。
举个例子：
做一个场效应管的的开关电路，控制25w 24v的电磁铁 ，电源 直流24v ，信号电压 8v，最低1.7v ，信号和输出都是两个 ，一个离合， 一个刹车 ，交替运行 每秒大约5次。
方法：1.7至8V的信号电压通过限流电阻接至三极管基极，三极管集电极触发由CD4013数字集成电路电路组成的单稳态电路，数字电路4013的输出端Q和Q非分别驱动2个场效应管，二个效应管均可驱动电磁铁线圈，使离合、刹车交替进行，选取合适的单稳态电阻和电容元件可以使离合 、刹车每秒1次以上。

场效应管电压控制元件，仅仅在开关时候需要从栅极吸收或者释放电流，因此驱动损耗较小。多子器件，没有电导调制效应，有一个近似线性I-V关系，导通压降随着电流增大增大。高耐压的场效应管的漂移区较厚，因此导通电阻较大。导通电阻具有正温度系数，并联时候可以实现自动均流。硅半导体的MOSFET耐压等级为600V以下。这是因为导通压降和耐压的关系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐压等级可以做到1200V。对于高耐压情况，IGBT结合了MOSFET和晶体管的特性，具有MOSFET优异的开关性能和晶体管的静态性能，在1000V~6000V应用场合更受到青睐。

一般的MOSFET的Ugs(th)大都在2-4V之间 ，3205也不例外。
3205挺好用的，你一直烧掉，估计是电流太大了吧。
还有这种管子默认就要背散热片的。
PS:还有个问题，你的3205是不是正品？我以前拿到过3205正品，很好的。

N-MOS的驱动很重要，你检查G极的驱动电压够不够，不够的话发热会非常厉害。

场效应管作为电子开关的小实验。