IGBT的吸收电容过热原因有几方面构成:
1、此电容是吸收过冲能量的一个电容,要求是低损耗、高频性能好,而且要允许通过大的脉动电流;
2、此电容选料要用聚碳酸树脂或者CBB料;
3、制作工艺一定要用无感办法,不能用卷绕制造方法;
4、喷金工艺不好也是发热的一个因素;
5、引出线应该用紫铜线,而不能用铁线或PC线,线径要1mm以上。
IGBT的吸收电容过热原因有几方面构成:
1、此电容是吸收过冲能量的一个电容,要求是低损耗、高频性能好,而且要允许通过大的脉动电流;
2、此电容选料要用聚碳酸树脂或者CBB料;
3、制作工艺一定要用无感办法,不能用卷绕制造方法;
4、喷金工艺不好也是发热的一个因素;
5、引出线应该用紫铜线,而不能用铁线或PC线,线径要1mm以上。
重要的是dv/dt值。
为何要使用吸收电容?由于母排有杂散电感存在当关断igbt的时候就会有尖峰电压产生:
这些尖峰电压加在母线上会导致vce>
vcemax就有可能损坏igbt。吸收电容就好比一个低通滤波器会吸收掉尖峰电压。