三极管问题

三极管放大原理可以这么描述：发射极的电子不断向基极扩散，同时从电源获得补充。基极流向发射极的多子（空穴）很少，可以忽略。在扩散过程中，少量的电子与基极的空穴复合，形成基极电流。由于基极很薄，绝大部分电子可以扩散到集电极边缘，由于集电极反偏，在CB之间形成一个较大的内电场，在这个电场的作用下，这些电子几乎都漂过集电结，形成集电极电流。
如果三极管要导通，集电结必须反偏，但不会是反向击穿，在PN结或者二极管的伏安特性曲线上描述为反向特性，此时随着电压增大，电流变化不大。只有超过一定电压限度后，才进入击穿状态（也称为击穿特性区）。如果是击穿，三极管会迅速发热，直到烫得你捏不住，而一般的三极管这种状态维持不会超过30秒，马上坏了。

看你需要三极管工作在什么状态。
看你说的是放大状态，其它状态就不是，比如饱和状态，集电结正偏。其实三极管放大时，你这么理解：发射结高掺杂，电子总是喜欢高电位，所以发射极发射电子经过薄基区到集电极。通过基极的电流（也可以理解为电压）控制集电极电流。

以共发射极放大电路为例来说明一下：发射结正偏，说明基极电压高于发射极电压，集电结反偏说明集电极电压大于基极电压，在这样的条件下，发射结的扩散运动很强，发射极的多子为电子，不断地向基区扩散，并不断地有电源来补充，形成发射极电流（电流的方向和电子的流动方向相反），基区的多子（空穴）也要向发射极扩散，但数量很少，可忽略。到达基区的电子继续向集电结扩散，再扩散过程中，少数电子与基区的空穴复合，形成基极电流。由于基区很薄且掺杂浓度低，所以绝大多数电子都能扩散到集电结边缘，由于集电结反偏，这些电子几乎全部漂移过集电结，形成集电极电流。因为大部分电子是从发射极到集电极的，电子的流向和电流的流方向相反，所以形成集电极电流。