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中容纳的芯片达1mm 左右
SOP 归为SMD(见SOP)。SOP
大、耗电量大、结构脆弱的电
封装本体也可做得比QFP(四
户的速度和功率消耗增加非
呈陈列状排列。封装基材基本
与封装之间产生应力时，在电
本上都是陶瓷QFN。电极触
模块，满足各种测试的需要
package)DIP 的一种。指宽度
拟集集成电路集成电路成电
LCC)采用的名称(见QFN)。
贝尔实验室制造出来了第一
中容纳的芯片达1mm 左右
SOP 归为SMD(见SOP)。SOP
大、耗电量大、结构脆弱的电
封装本体也可做得比QFP(四
户的速度和功率消耗增加非
呈陈列状排列。封装基材基本
与封装之间产生应力时，在电
本上都是陶瓷QFN。电极触
模块，满足各种测试的需要
package)DIP 的一种。指宽度
拟集集成电路集成电路成电
LCC)采用的名称(见QFN)。
贝尔实验室制造出来了第一
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