mos管漏源导通电阻

MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
对于实际的MOSFET，考虑到源、漏的串联电阻，则总的导通电阻应该是 Ron+Rs+Rd.

mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron= 1/[β(Vgs-VT)]。
其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

实在没有什么必要。导通电阻是温度的函数，按照你的电路，管子发热量相当大(注意电阻的额定功率)，必然温度上升。结果是每次测量结果都不一样。另外，导通电阻往往厂家只给一个最大值(并注明测试条件)，厂家制订的测试条件通常接近使用者实际使用条件(否则不好卖)。实际的管子，导通电阻可能比厂家给出的数值小一半。要想知道施加不同gs之间电压时管子的电流，参考红线标出的两个参数。

Rds(on)指的是饱和区电阻，饱和区电阻比较小，Rds(on)=1/λ/Id，与电流成反比
而饱和区，跨导gm=k*(Vgs-Vth)，等价电阻Rgs(on)=1/k/(Vgs-Vth)