使用In球在wafer表面制作出P-contact和N-contact，使之与金属探针良好接触后，通过光电点测系统软件，设置参数（电流，电压）后以电激发光，进而对wafer生长的LED结构进行电性方面的分析。主要量测参数： 1. Vf （正向偏压） 2. Iv （发光强度） 3. λd （可见光波长 ）
